Для того чтобы переделать мир, улучшить условия жизни человека, создать все те блага, которые дает людям современная цивилизация, необходимо сначала понять, как устроена природа, познать ее фундаментальные законы. Именно это и составляет содержание физики.
Физика дала жизнь подавляющему большинству современных отраслей науки, таким как энергетика, включая атомную, транспорт, авиационная и космическая техника, лазеры и многим другим.
Сегодня невозможно представить себе современную физику без полупроводников и полупроводниковых приборов. Развитие физики и технологии полупроводниковых структур привело к удивительным изменениям в нашей повседневной жизни. Полупроводниковая электроника широко используется во многих областях человеческой деятельности. Систематические исследования полупроводников были начаты еще в 30–е годы в Физико-техническом институте (г. Санкт–Петербург) под прямым руководством его основателя — академика Абрама Федоровича Иоффе. В Киеве инициатором и организатором этого направления являлся академик АН Украины В.Е.Лашкарёв, имя которого сегодня носит институт физики полупроводников НАН Украины. Наш герой, о ком я хочу рассказать это выходец Киевской школы Канатбай Абдреймович Исмайлов – известный ученый в области физики полупроводников и полупроводниковых приборных структур, доктор физико-математических наук, профессор.
К.А.Исмайлов родился 26 февраля 1959 года в Ходжелийском районе Республики Каракалпакстан.
В 1976 году, окончив среднюю школу №3 Нукусского района, поступил на физический факультет Ташкентского государственного университета (ныне Национальный университет Узбекистана имени М.Улугбека). Учебу в университете закончил в 1981 году по специальности «Физика полупроводников и диэлектриков». В университете он учился под руководством ведущих ученых современности, академиков М.Бахадырханова, С.Зайнабиддинова и профессоров А.Тешебаева, К.П.Абдурахманова и др. Я его знаю со времен студенческой скамьи. Во время учёбы и выполнения дипломной работы под моим непосредственным руководством, он показал себя исключительно с хорошей стороны. В 80-е годы прошлого века на стенах Нукусского госуниверситета (ныне Каракалпакский госуниверситет имени Бердаха) по инициативе кандидата физико-математических наук, доцента, заслуженнего деятеля науки Республики Каракалпакстан М.Ережепова сформировалась проблемная лаборатория «Многослойные и периодические полупроводниковые структуры». Именно для этой лаборатории необходимы были высококвалифицированные специалисты. Для удовлетворения нужды и потребности вышеназванной лаборатории один из многих молодых специалистов К.А.Исмайлов с 1982 по 1983 гг. был прикомандирован стажером-исследователем в институте физики полупроводников Академии Наук Республики Украины с дальнейшим его поступлением 1983 году в целевую аспирантуру, которую окончил в 1986 году. В 1986-1991 годы работал сначала научным сотрудником, затем старшим научным сотрудником проблемной лаборатории физического факультета Нукусского госуниверситета.
В 1988 году в г. Киеве институте физики полупроводников АН Украины на Специализированном Совете блестяще защитил кандидатскую диссертацию под непосредственным руководством ведущих физиков в области физики полупроводников и полупроводниковых приборов доктора физико- математических наук, профессора, лауреата Госпремии Украины ТХОРИКА Юрия Александровича и доктора технических наук, дважды лауреата Госпремии Украины, профессора Конаковой Раисы Васильевны на тему «Влияние внешних воздействий на характеристики лавинно-пролетных диодов». В 1992-1995 гг. он был докторантом института физики полупроводников НАН Украины. В 1994-1995 годы был доцентом кафедры физики полупроводников Каракалпакского государственного университета имени Бердаха.
Обширные экспериментальные и теоретические исследования, воздействия радиации на полупроводники и полупроводниковые приборы показали, что изменение свойств материалов, подвергающиеся воздействию проникающего излучения, при высоких дозах радиации подчиняются некоторым общим закономерностям. Однако радиационные эффекты при низкодозовом облучении практически не исследовались. Интенсивное их изучение началось после освоения ближнего космоса спутниками, когда впервые специалисты столкнулись с противоречивыми фактами деградации и улучшения параметров отдельных узлов солнечных батарей, работающих на одном и том же спутнике, в одно и то же время.
К решению этой проблемы были привлечены научные коллективы. Среди ведущих исследователей следует назвать имена С.М.Рывкина, В.С.Вавилова, В.Л.Винецкого, М.К.Шейнкмана, К.А.Ухина, В.Г.Литовченко, Л.С.Смирнова, А.В.Ржанова, С.В.Стародубцова, М.С.Юнусова, В.Б.Оксендгендлера, Ф.П.Коршунова, В.И.Шаховцова, Ю.А.Тхорика, Р.В.Конакова, Т.В.Машовец, И.П.Чернова, А.П.Мамонтова и др.
Благодаря результатам, полученным в научных и производственных коллективах от разрозненных и противоречивых фактов удалось перейти к установлению некоторых общих закономерностей, связанных с так называемым «эффектом малых» доз.
Для широкой реализации этого эффекта в промышленности нужно было установить те факторы полупроводниковой структуры, влияние на которые с помощью радиации в ряде случаев приводит к улучшению параметров приборов. Чтобы подробно исследовать этот механизм, нужно было соответствующим образом выбрать объекты для исследований. Таковыми оказались арсенидгаллиевые диодные структуры с барьером Шоттки и гетероперходом. Именно в таких гетероструктурах оказалось возможным регулировать исходный уровень механических напряжений и далее с учетом этого фактора исследовать влияние радиации на протекание различных процессов в приборных структурах. Это обстоятельство как раз послужило основам его докторской диссертации.
В 1995 году в г. Ташкенте на Спецсовете НПО «Физика-Солнце» Физико-технического института АН РУз, где я являлся членом этого Совета он досрочно и успешно защитил докторскую диссертацию на тему «Сильнополевые и радиационные эффекты в арсенидгаллиевых приборных структурах». Он является одним из первых докторов наук по этому направлению в республике Каракалпакстан.
К.А.Исмайлов автор более 300 научных работ, в том числе 1 монографии, 5 учебников, 6 учебно-методических пособий, имеет 4 авторских свидетельства на изобретения. Им экспериментально обнаружен и теоретически интерпретирован эффект подавления микроплазм при одновременном воздействии гамма облучения и сильного электрического поля на структуры с барьером Шоттки. Предложен метод определения параметров микроплазм, основанный на сопоставлении экспериментально измеряемого дифференциального сопротивления барьера Шоттки или p—n переходы с теоретической моделью. Установлена роль механических напряжений в процессах направленного изменения электрофизических свойств приборных структур металла – GaAs под влиянием ионизирующей радиации путем структурной и химической перестройки дефектов в приповерхностной области GaAs.
Он уделяет большое внимание подготовке высококвалифицированных научных кадров, так например, под его непосредственным руководством защитили диссертации: 1 докторскую, 4 кандидатские и 2 доктора философии по физико-математическим наукам. В настоящее время он является научным консультантом одного докторанта и научным руководителем двух базовых докторантов. Следует отметить, что ежегодно под его непосредственным руководством защищаются 2 магистерские диссертации и 5-7 выпускающиеся специальные бакалаврские работы. Наряду с этим, его 3 ученика в разные годы учёбы были удостоены государственных стипендий имени Мирзо Улугбека.
В 1998 году он был избран на должность заведующего кафедрой физики полупроводников университета и по сей день возглавляют кафедру.
Во время его заведования кафедры 3 преподавателя при его непосредственном и активном участии защитили докторскую (проф. Тагаев М.Б., доц. Камалов А.Б. и доц. Давлетмуратов Б.К.) и более 10 преподавателей защитили кандидатскую диссертацию. Наряду с этим, существенным образом улучшилась материально-техническая база кафедры, а также благодаря его личной инициативе на сегодняшний день были установлены научные связи с ведущими вузами как зарубежных (страны СНГ), так и внутриреспубликанских.
К.А.Исмайлов со своей педагогической деятельностью хорошо сочетает организаторские работы, а именно:
— в 1995-1997 гг. работал на должности проректора по научной работе;
— в 1997-1998 гг. работал первым проректором по духовности и просветительской работе;
— в 1998-1999 гг. работал директором Комплексного института естественных наук Каракалпакского отделения Академии Наук Республики Узбекистан;
— в 1999-2000 гг. был председателем комитета Жокаргы Кенгеса Республики Каракалпакстан. Подряд два созыва избирался депутатом Жокаргы Кенгеса Республики Каракалпакстан (1994-1999 гг.) и (1999-2004гг.).
— в 2000-2002 гг. работал заместителем председателя Совета Министров Республики Каракалпакстан;
— в 2002 -2005 гг. работал проректором по учебной работе Каракалпакского госуниверситета имени Бердаха.
С 2005 года по 2011 год работал деканом физико-технического и физического факультета. Во время его деканской работы существенно улучшилась материально-техническая база факультета, а также благодаря его усилиям некоторые студенты факультета стали именными стипендиатами. С октября 2011 года по настоящее время работает заведующим кафедрой физики полупроводников физического факультета КГУ имени Бердаха.
В 2002 году по решению ВАК при Кабинете Министров Республики Узбекистан ему присвоено ученое звание профессора.
Как заведующий кафедрой он прилагает много усилий в укреплении учебной, учебно–методической работы и материально–технической базы кафедры. Наряду с этим, К.А.Исмайлов сыграл большую роль в продвижении научных работ молодых кадров, аспирантов и докторантов.
Кроме этого, большое внимание он уделяет внедрению в учебный процесс новых педагогических технологий и современных методов обучения, укрепляет связи с научно – исследовательскими институтами АН РУз.
По его инициативе и при его непосредственном участии созданы электронные библиотеки. Также он разработал руководство для создания электронного учебника.
В настоящее время осуществляется тесное сотрудничество с учеными СНГ в области физики полупроводников. Подписан договор о сотрудничестве между Каракалпакским госуниверситетом имени Бердаха и институтом физики полупроводников Национальной Академии Наук Украины. Постоянно обогащается научно–педагогический потенциал. В целях обмена опытом, для продвижения педагогических и научных работ университета в 2003 и 2004 гг. К.А.Исмайлов был в Киеве и Алматы соответственно, а в апреле 2005 года он побывал в Швеции, в Королевском технологическом университете. В 2013 году был в г. Упсалы (Швеция) в научной командировке по проекту UzWATE «ТЕМПУС». На высоком и профессиональном уровне он читает курсы лекций по «Физике полупроводников», «Современным проблемам физики» и «Основам микроэлектроники и наноэлектроники» и др. В 2002 -2004 годы был членом экспертной комиссии ВАК Республики Узбекистан, членом ученого Совета и членом редакционной коллегии журнала «ВЕСТНИК» КГУ имени Бердаха. Кроме этого он был членом программного и организационного комитета очень многих престижных как международных, так и республиканских научных конференций. Так, например, по его личной инициативе 27-29 октября 2005 года в г. Нукусе на базе кафедры физики полупроводников КГУ имени Бердаха была проведена Республиканская конференция «Рост, свойства и применение кристаллов». В 2011 и 2015 гг. он организовал две республиканские конференции на тему «Современные проблемы физики полупроводников» с участием ученых стран СНГ. 20 ноября сего года ожидается очередная конференция по теме «Современные проблемы физики полупроводников», где я буду председательствовать. В 2015 году в его соавторстве с академиком С.Зайнобиддиновым и профессором А.Тешебаевым был написан учебник для магистров «Нанозарралар физикаси, кимёси ва технологияси», который был удостоен дипломом 1 степени как лучший учебник года по Минвузу РУз. Кроме этого в 2017 году он стал «Самым лучшим педагогом» в номинации «Самый лучший педагог-исследователь» и награжден почетным дипломом Минвуза РУз. В 2018 году по итогам научно-педагогической деятельности в КГУ имени Бердаха, он был награждён «Почётной грамотой» Минвуза РУз.
За последние десять лет он активно сотрудничает с нашей кафедрой и ведёт совместную научно-исследовательскую работу. Два его преподавателя кафедры выполняли свои диссертации на нашей кафедре на основе договора о сотрудничестве, заключенного между ТГТУ имени И.Каримова и КГУ имени Бердаха, это Г.Камалов (в 2018 г.) и З.Сапарниязова (в 2019 г.), которые успешно защитили свои диссертации на докторов философии по специальности физико-математических наук. Кроме этого, два базовых докторанта (Б.К.Исмайлов и З.Т.Кенжаев) выполняют научно-исследовательские работы в стенах нашего университета.
В настоящее время К.А.Исмайлов является членом Специализированного Научного Совета по присуждению ученой степени доктора наук в научно–исследовательском институте физики полупроводников и микроэлектроники Национального университета Узбекистана. При этом он принимает активное участие в оппонировании, как докторских диссертаций, так и доктора философии по физико-математическим наукам.
Профессор К.А.Исмайлов — ведущий педагог, талантливый организатор, требовательный и заботливый воспитатель, глубоко скромный и порядочный человек, истинный энтузиаст своего дела. Он имеет большой опыт учебно-педагогической работы. В качестве заведующего кафедрой физики полупроводников он завоевал огромный авторитет среди коллектива факультета и университета.
Ценные качества проф. К.Исмайлова – это его всесторонняя образованность, высокая культура, трудолюбие, честность, требовательность и, самое главное, справедливость. Эти стороны личности принесли добрую славу о нем в республике.
За заслуги в области науки и образования, в этом году, в честь 28 — летия Независимости Республики Узбекистан он был удостоен государственной награды, а именно, ему было присуждено звание «Заслуженный деятель науки Республики Каракалпакстан». Кроме этого, он отличный семьянин. Со своей женой Жамилой Бекбауливной они воспитали четырех детей (два сына и двух дочерей). Любимый дед семерых внуков и внучек.
Коллеги, соратники и ученики К.А.Исмайлова от всей души поздравляют его с 60-летним юбилеем и желают ему и его семье доброго здоровья, благополучия и успехов в его нелегкой, но очень благородной научно-педагогической работе во благо нашего народа.
М.Бахадырханов,
Академик АН РУз, лауреат госпремии имени А.Беруни по науке и технике,
почётный профессор КГУ им.Бердаха, доктор физико-математических наук, профессор.
